INFINEON IRF 5305 - MOSFET, P-Ch, -55V -31A 0,06R, TO-220AB

0.86 EUR*

Descripción

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de estado activado extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el robusto diseño del dispositivo por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia gama de aplicaciones. La carcasa TO-220 es universalmente adecuada para todas las aplicaciones comerciales e industriales con una pérdida de potencia de hasta unos 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste de la carcasa TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.