MICROCHIP DN2450N8-G - MOSFET, N-Ch SOT-89, 500V 0,7A 7R 1,6W

1.01 EUR*

Descripción

Este modo de depleción de umbral bajo (normally-on) utiliza transistores en la estructura vertical avanzada de DMOS y el proceso de fabricación de puerta de silicona de montaje de pozo. Estos productos se combinan con las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares y con la impedancia de alta entrada y la temperatura positiva coeficiente en los dispositivos MOS. El carácter de todas las estructuras de MOS, estos dispositivos son libres de circuito térmico y están desactivados por inducción térmica. Los FET de DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y encendido en las que hay muy poca tensión de umbral, alta tensión de desconexión, impedancia de entrada alta, capacidad de entrada baja y se han desactivado las necesidades de conmutación rápida. • impedancia de alta entrada • Capacidad de entrada baja • Velocidad de conmutación rápida • Baja resistencia • Libre de segundos de interrupción • Salida y salida de entrada baja Datos técnicos: • BVdx: 500 V. • UGS (off): -1,5 ... 3,5 V • RDS: 10 ohmios • IC: 700 mA