INFINEON IDH12G65C5 - Diodo Schottky de SiC, 650 V, 12 A, TO220AC

2.64 EUR*

Descripción

5ª generación de thinQ!™ Diodo SiC Schottky La 5ª generación de ThinQ!™ representa la tecnología punta de Infineon para los diodos de barrera de SiC Schottky. El proceso de soldadura por difusión patentado por Infineon, ya introducido con el G3, se combina ahora con un nuevo diseño más compacto y con la tecnología de obleas finas. El resultado es una nueva familia de productos con una eficiencia mejorada en todas las condiciones de carga, debido tanto a las propiedades térmicas mejoradas como a un valor de potencia más bajo (Qc x Vf). El nuevo thinQ!™ Generación 5 ha sido desarrollado para complementar las familias de 650V CoolMOS™: De esta forma se garantiza el cumplimiento de los más altos requisitos de aplicación en este rango de tensión. Características - material semiconductor revolucionario - carburo de silicio - excelente comportamiento de conmutación - no hay recuperación hacia atrás / no hay recuperación hacia adelante - coeficiente de temperatura positiva - alta resistencia a la corriente de choque - plomo libre de plomo; cumple con la normativa RoHS - calificado según JEDEC - Tensión de ruptura probada a 11 mA2) - optimizado para el funcionamiento a alta temperatura Ventajas - mejora de la eficiencia del sistema en comparación con los diodos de Si - Ahorro en el coste/tamaño del sistema gracias a la reducción de los requisitos de refrigeración - permite soluciones con mayor frecuencia / mayor densidad de potencia - mayor fiabilidad del sistema debido a las menores temperaturas de funcionamiento - IME reducido Aplicaciones - Fuentes de alimentación conmutadas - Corrección del factor de potencia - Inversor solar - sistemas de alimentación ininterrumpida